Os novos DIMMs de 50nm DDR3 da Samsung e Elpida estarão a entrar em produção massiva este mês. Os chips irão figurar elevadas densidades e velocidades ao mesmo tempo que oferecem baixa latência, poder de consumo e custo.
O novo processo de 50nm da Elpida oferece uma melhoria de performance de cerca de 25% face ao standard actual.
Os novos chips são capazes de 2.5Gb/s a uma voltagem standard de 1.5v, mas poderão também ser utilizados a 1.2v para um output de 1.6Gb/s. A produção inicial será feita em densidades de 1Gb. Isto irá permitir a utilização de modelos em aplicações móveis e de servidor.
As memórias Corsair Dominator GT 2GHz CL7 DDR3 DIMMs foram apresentadas inicialmente na CES, e irão iniciar a sua produção at
ravés da Elpida muito brevemente.
O processo de fabrico a 50nm da Samsung é utilizado para manufacturar kits de memória de 2Gb DDR3, e é esperado tornar-se o processo tecnológico primátio da Samsung este ano. Os nipónicos exclamam um incremento de 60% na produtividade das suas memórias DDR2 equivalentes.
A Qimonda lançou a sua tecnologia de 46nm DDR3 em Novembro, um pouco à frente das suas expectativas iniciais. A empresa irá iniciar a sua produção massiva já a partir do meio do corrente ano de 2009.
Outros produtores de memórias DDR3 estão também à procura de geometrias mais baixas para socket AMD AM3 e Intel Lynnfield, sendo que ambos irão fazer uso de módulos DDR3 e irão seguramente fazer acelerar o mercado.
O preço dos módulos de memória premium DDR3 poderão descer entre 100% até 10% na altura em que o Lynnfield e o Windows 7 forem lançados no terceiro trimestre do ano.
De acordo com a International Data Corporation, uma pesquisa de mercado indiciou que as vendas de memória DDR3 irão corresponder a 29% do total do mercado DRAM em finais de 2009. Este valor deverá crescer cerca de 72% até 2011.
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